概念

試驗(yàn)?zāi)康?/span>

(1)與開(kāi)關(guān)器件(如晶閘管)相關(guān)的諧振現(xiàn)象；

(2)局部開(kāi)關(guān)動(dòng)作或負(fù)載變化較小的配電系統(tǒng)；

(3)電力系統(tǒng)的主要切換騷擾，如電容器的切換；

(4)設(shè)備組合對(duì)接地系統(tǒng)短路、電弧故障等各種系統(tǒng)故障。

(1)直擊雷，它擊中外部電路，注入的大電流通過(guò)接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生的電壓；

(2)附近耦合到設(shè)備組合接地系統(tǒng)的公共路徑時(shí)，附近直接對(duì)地放電的雷電電流產(chǎn)生感應(yīng)電壓；

(3)間接雷(即云層之間或云層中的雷擊或附近物體的雷擊產(chǎn)生的電磁場(chǎng))在建筑物內(nèi)和外導(dǎo)體上產(chǎn)生感應(yīng)電壓和電流。

●LPZ0A區(qū)域：該區(qū)域內(nèi)的所有物體都可能遭到直接雷擊，導(dǎo)致所有雷電電流；區(qū)域內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。

●LPZ0B區(qū)域:區(qū)域內(nèi)的物體不能被與所選滾球半徑相對(duì)應(yīng)的雷電電流直接雷擊，但區(qū)域內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。

●LPZ1區(qū):本區(qū)所有物體不能直接雷擊，流經(jīng)各種導(dǎo)體的電流比例不能直接雷擊LPZ0B面積較?。桓鶕?jù)屏蔽措施，該區(qū)域的電磁場(chǎng)強(qiáng)度可能會(huì)衰減。

●LPZ2后續(xù)防雷區(qū)：當(dāng)需要進(jìn)一步降低電流和電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，應(yīng)增加后續(xù)防雷區(qū)，后續(xù)防雷區(qū)的要求應(yīng)根據(jù)需要保護(hù)的環(huán)境區(qū)域選擇。

試驗(yàn)配置

1.組合波發(fā)生器，耦合/解耦網(wǎng)絡(luò)等輔助設(shè)備。

2.組合波發(fā)生器分為10/700μs和1.2/50μs兩種，對(duì)應(yīng)不同的端口類(lèi)型。

3.分類(lèi)

浪涌抗擾度試驗(yàn)分為：

(1)浪涌電壓抗擾試驗(yàn)(開(kāi)路電壓)

(2)浪涌電流抗擾試驗(yàn)(短路電流)

注：浪涌（Surge）抗干擾試驗(yàn)?zāi)M間接雷擊，不考慮直接雷擊或直接雷擊EUT絕緣能力耐高壓試驗(yàn)。

具體測(cè)試波形

1)組合波發(fā)生器的電路原理圖

2)具體波形圖

1)組合波發(fā)生器的電路原理圖

2)具體波形圖

(1)建議使用10/7000通信網(wǎng)絡(luò)和長(zhǎng)距離信號(hào)電路端口μs沖擊波。常見(jiàn)的電子設(shè)備，如常見(jiàn)的電子設(shè)備，如RJ45，RS232，XDSL，RS485，安全攝像頭等。

(2)建議使用1個(gè)交直流電源端口和短距離信號(hào)電路端口1.2/50μs沖擊波。常見(jiàn)的電子設(shè)備，如常見(jiàn)的電子設(shè)備，如LED照明設(shè)備、基站等。

常用設(shè)備端口抗浪能力試驗(yàn)